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刻蝕設(shè)備

鍍膜設(shè)備

核心組件

技術(shù)支持

TALD原子層沉積設(shè)備

發(fā)布日期:2021/4/2 0:00:00

PJ-TALD-200


設(shè)備規(guī)格

工藝溫度:溫度范圍:RT~500°C (可定制)
前驅(qū)體路數(shù):最大支持6路前驅(qū)體氣路(可定制),包含固、液態(tài)前驅(qū)體源瓶

加熱系統(tǒng):可加熱溫度范圍:RT~500℃

反應(yīng)物路數(shù):支持2路反應(yīng)物氣路(可定制)
載氣:標(biāo)準(zhǔn):N2, MFC 流量控制(可定制)
壓力監(jiān)測:雙薄膜規(guī)組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr

標(biāo)準(zhǔn)漏率:<5x10-9Pa*m3/s 
真空系統(tǒng):標(biāo)準(zhǔn)油泵

控制系統(tǒng):19寸顯示器,支持觸控工業(yè)級嵌入式工控機(jī),高可靠性,支持?jǐn)U展
高溫加熱模塊:獨(dú)立的源瓶加熱模塊,可支持RT~200℃

 

控制系統(tǒng)

? 控制系統(tǒng)采用 PLC+工控機(jī)+19 寸觸摸屏方式實(shí)現(xiàn),系統(tǒng)通過高速以太網(wǎng)進(jìn)行通訊。

? 采用 PLC 對設(shè)備進(jìn)行實(shí)時(shí)控制,支持歷史數(shù)據(jù)、工藝配方、報(bào)警及日志的儲存和導(dǎo)入導(dǎo)出的功能

? 設(shè)備支持“一鍵沉積”功能,點(diǎn)擊運(yùn)行按鍵即可自動完成真空抽取、升溫、材料沉積、降溫等一系列步驟。實(shí)現(xiàn)單一或多層材料的沉積;提供獨(dú)立的手動操作頁面,支持手動開關(guān)閥門的操作,人機(jī)交互同時(shí)支持鼠標(biāo)、鍵盤和觸摸的輸入方式

? 設(shè)備運(yùn)行軟件提供用戶權(quán)限管理功能,可根據(jù)用戶級別設(shè)定使用權(quán)限,防止誤操作,保證設(shè)備和人身安全

? 設(shè)備運(yùn)行軟件提供邏輯互鎖功能,防止用戶誤操作,并彈出信息對話框進(jìn)行提示

? 設(shè)備運(yùn)行軟件集成安全及參數(shù)配置、IO互鎖列表信息功能

 

工藝應(yīng)用
防水汽保護(hù)層,光學(xué)鍍膜,功能型膜層(親水層,疏水層)

薄膜種類:AL2O3、SNO2、SIO2、HFO2、 ALN、TIN

晶圓尺寸:12寸以兼容



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